型号 | SI3443DV |
厂商 | International Rectifier |
描述 | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP |
SI3443DV PDF | |
代理商 | SI3443DV |
标准包装 | 3,000 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 65 毫欧 @ 4.4A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1079pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) |
供应商设备封装 | Micro6?(TSOP-6) |
包装 | 管件 |
其它名称 | *SI3443DV |